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Die Tunneldiode ist eine Erfindung des Japaners Esaki. Daher auch Esaki-Diode genannt.
Schaltzeichen:
Die Tunneldiode hat ein hochdotiertes N-leitendes Germanium-Plättchen in das eine ebenfalls hochdotierte Indium-Pille einlegiert ist.
Wegen der hohen Dotierung ist die Sperrschicht sehr dünn. Die Elektronen durchfliegen nahezu mit Lichtgeschwindigkeit diesen Tunnel.
Im Gegensatz zu anderen Dioden hat die Tunneldiode keine Sperrwirkung.
Wird die Spannung an einer Tunneldiode erhöht, steigt zunächst der Strom(bis U1/I1). Bei weiterer Spannungserhöhung fällt der Stromwert wieder ab(ab U1/I1). Die Tunneldiode wirkt in diesem Bereich wie ein negativer Widerstand. Bei steigender Spannung wird der Strom kleiner(zwischen U1/I1 und U2/I2).
Wird die Spannung weiter erhöht, steigt auch der Strom weiter an(ab U2/I2).
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