Die Ladungsträger der beiden Schichten bewegen sich in die jeweils anders geladene Schicht. Dabei Rekombinieren die Elektronen und Löcher miteinaner.E-Online | Elektronik Grundlagen |
Baut man einen p-Leiter und einen n-Leiter zusammen, so ergibt sich am Grenzbereich eine Grenzschicht, der PN-Übergang.
Das dabei entstandene elektronische Bauteil wird Halbleiterdiode genannt.
Die Ladungsträger der beiden Schichten bewegen sich in die jeweils anders geladene Schicht. Dabei Rekombinieren die Elektronen und Löcher miteinaner.
Es entsteht eine Diffusionsspannung. Am PN-Übergang entsteht eine an freien Ladungsträgern verarmte Sperrschicht oder Raumladungszone. Diese Schicht ist schlecht leitend und in ihr herrscht ein sehr starkes elektrisches Feld.
Diode in Durchlaßrichtung
Wird die Diode in Durchlaßrichtung betrieben, so liegt die p-Schicht am Plus-Pol und die n-Schicht am Minus-Pol.
Die Löcher der p-Schicht werden vom Plus-Pol abgestoßen, die Elektronen der n-Schicht werden vom Minus-Pol abgestoßen. Die Grenzschicht wird nun mit freien Ladungsträgern überschwemmt, und es fließt ein Strom durch die Diode.
Diode in Sperrichtung
Wird die Diode in Sperrichtung betrieben, so liegt die p-Schicht am Minus-Pol und die n-Schicht am Plus-Pol.
Die Löcher der p-Schicht werden vom Minus-Pol angezogen, die Elektronen der n-Schicht werden vom Plus-Pol angezogen. Dadurch vergrößert sich die Grenzschicht und es können keine Ladungsträger durch sie hindurch.
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