 | Bei Raumtemperatur lösen sich die schwach gebundenen Valenzelektronen aus dem Kristallverband und tragen zur elektrischen Leitfähigkeit bei. Diese Art von Leitfähigkeit heißt Eigenleitung. |
| | Die elektrische Leitfähigkeit eines Halbleiterkristalls kann gezielt durch Dotierung gesteuert werden. |
| | Der n-dotierte Halbleiter besitzt frei bewegliche Elektronen. Der p-dotierte Halbleiter besitzt ein positiv geladenes Loch. Diese Art elektrischer Leitfähigkeit heißt Fremdleitung. |
| | Die elektrische Leitfähigkeit eines Halbleiters ist die Summe aus Eigenleitung und Fremdleitung. |
| | Die Grenzschicht zwischen einem n-dotierten und einem p-dotierten Halbleiter ist ein pn-Übergang. |
| | An der Grenzfläche eines pn-Übergangs entsteht eine positive und eine negative Raumladung in der wenig freie Ladungsträger existieren. Dieser Übergang stellt einen großen Widerstand für den elektrischen Strom dar. |
| | Durch Anlegen einer Spannung kann, je nach Polung, diese Sperrschicht vergrößert oder verkleinert werden. |
