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Bipolare Transistoren bestehen aus einer npn- oder pnp-Schichtfolge. Sie werden überwiegend aus Silizium gefertigt. Frühere, aus Germanium, gefertigte Transistoren werden nur noch für Sonderzwecken verwendet.
Transistoren aus Mischkristallen(z. B. Galliumarsenid) könnten in der Zukunft mehr an Bedeutung erlangen.
Unipolare Transistoren arbeiten mit gleichgepolten pn-Übergängen. Der Stromfluß wird zwischen Drain und Source durch die an Gate angelegte Spannung gesteuert.
Je nach Spannung kann der Widerstandswert dieses Kanals vergrößert oder verkleinert werden.
| Bipolare Transistoren | Unipolare Transistoren | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | NPN | MOS-FET | JFET | ||||
| P-Kanal | N-Kanal | ||||||
| P-Kanal | N-Kanal | ||||||
| An- reicherungs- typ | Ver- armungs- typ | An- reicherungs- typ | Ver- armungs- typ | ||||
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