Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung

Emitterschaltung ohne Wechselstrom-Gegenkopplung

Da die Temperaturabhängigkeit der Emitterschaltung groß ist, hat das eine Erwärmung des Transistors zur Folge. Gleichzeitig steigen Basisstrom, Kollektorstrom und Emitterstrom an (I_E = I_C + I_B).
Durch den Emitterwiderstand R_E fällt an ihm eine Spannung ab, die die U_BE sinken läßt. Dadurch wird der Basisstrom weniger. Der Kollektorstrom und Emitterstrom sinken und die Emitterspannung wird weniger. Die U_BE wird wieder steigen.
Diese Reglung tritt bei jeder Stromänderung im Transistor auf, und wird als Stromgegenkopplung bezeichnet.

Durch die Stromgegenkopplung entsteht eine Rückkopplung des Wechselstrom-Eingangssignals. Dadurch ergeben sich folgende Eigenschaften der Schaltung.

Es entsteht ein sauberes, verzerrungsfreies Ausgangssignal.
Die Spannungsverstärkung sinkt.
Die Spannungsverstärkung kann von R_C und R_E festgelegt werden.
Der Eingangswiderstand r_e der Schaltung steigt.

Emitterschaltung ohne Gegenkopplung (siehe Schaltung)

Der Kondensator C_E hat dabei keinen Einfluß auf die Gleichstromeinstellungen. Der Kondensator C_E führt zu einem wechselstrommäßigen Kurzschluß am Widerstand R_E, der den Ausgangswiderstand auf wenige Ohm verringert. Daraus erfolgt eine Verstärkung um das 10-fache.

Formel zur Berechnung der Spannungsverstärkung
Formel zur Berechnung des Basis-Emitter-Widerstandes

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